기초전자공학 實驗 - RLC회로의 과도 응답
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작성일 23-01-30 21:58
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3.實驗재료
1) 오실로스코프와 함수발생기의 사용법을 實驗을 통해 익힌다. 3) RLC 회로의 과도응답 이해하고 실험으로 확인한다. 2) 인덕턴스와 커패시턴스의 특성을 실험적으로 이해한다.
- RLC회로의 과도 응답
2) 인덕턴스와 커패시턴스의 property(특성)을 實驗적으로 이해한다.
1) 오실로스코프와 함수발생기의 사용법을 test(실험) 을 통해 익힌다.
- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 오실로스코프, 함수발생기,470Ω, 1kΩ, 10kΩ저항
기초전자공학 實驗 - RLC회로의 과도 응답
2) 신호 발생기의 출력이 5 V의 진폭을 갖는 200 Hz 안팎의 구형파(square wave)가 되도록 설정하고 (duty cycle은 50%가 되도록 함), 470 Ω 저항과 500 mH의 인덕터가 직렬 연결된 회로에 인가하라. 이때 저항과 인덕터에 나타나는 전압 파형을 오실로스코프로 관측하고 그려라. 이 그림으로부터 시정수를 구해보라.
기초전자공학,RLC회로의 과도 응답
3.test(실험) 재료
- test(실험) 값 101Hz = 9.9 ms
- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 오실로스코프, 함수발생기,470Ω, 1kΩ, 10kΩ저항
3) RLC 회로의 과도응답 이해하고 實驗으로 확인한다.
시정수 : 인가한 전압의 63.2%가 되기까지 걸리는 시간 (t = RC)
10㎌, 0.1㎌ 커패시터 100 mH 인덕터
- RLC회로의 과도 응답
2.test(실험) 목표(目標)
순서
레포트 > 공학,기술계열
1.실험제목 - RLC회로의 과도 응답 2.실험목표 1) 오실로스코프와 함수발생기의 사용법을 실험을 통해 익힌다.
2.實驗goal(목표)
1.實驗タイトル(제목)
- 理論(이론)값 : 10 ms
10㎌, 0.1㎌ 커패시터 100 mH 인덕터
3) RLC 회로의 과도응답 이해하고 test(실험) 으로 확인한다. 3.실험재료 - 디지털 멀티미터, 전원공급기, 오실로스코프, 함수발생기,470Ω, 1kΩ, 10kΩ저항 10㎌, 0.1㎌ 커패시터 100 mH 인덕터
설명
Download : 기초전자공학 실험 - RLC회로의 과.hwp( 27 )
1.test(실험) 제목
2) 인덕턴스와 커패시턴스의 特性(특성)을 test(실험) 적으로 이해한다.
다.
